SK海力士公司今天宣布已开发并开始批量生产全球[敏感词]128层1Tb TLC（三层单元）4D NAND闪存，而这仅是在8个月之前才宣布推出96层4D NAND产品之后。

目前，128层1 Tb NAND芯片提供业界[敏感词]的垂直堆叠，拥有超过360亿个NAND单元，每个单元存储3个芯片。为实现这一目标，SK海力士应用创新技术，如“超均匀垂直蚀刻技术”，“高可靠性多层薄膜电池形成技术”和超快速低功耗电路设计，自行开发4D NAND技术


SK海力士将从今年下半年开始发售128层4D NAND闪存，同时继续推出各种解决方案。凭借其在单芯片中的四平面架构，该产品在1.2 V时实现了1,400 Mbps（兆位/秒）的数据传输速率，实现了高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD。SK海力士计划于明年上半年为主要的旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。使用128层1 Tb NAND闪存，1 TB（太字节）产品所需的NAND芯片数量（目前是智能手机的[敏感词]容量）将比512 Gb NAND减少一半; 它将为客户提供移动解决方案，在1毫米薄的封装中功耗降低20％